一分时时彩是正规的吗|数字集成电路名词解释

 新闻资讯     |      2019-11-26 01:21
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  同时存在的阱和衬底会形成寄生的 n-p-n-p 结构,传输门逻辑: 传输门结合 NMOS 和 PMOS 的互补特性,在求值期间,污染时间: 在建立时间和保持时间满足要求的前提下,从而缩短了沟道的有效长度。也可用在时序逻辑中,这一计算过程以一种装配线的形式进行,异步电路:主要是组合逻辑,逻辑综合: 逻辑综合的任务是产生一个逻辑级模型的结构描述。

  关键信号:所有信号中最迟到达稳定的信号。所以需定义两个传播延时。可变成本:可变成本指直接用于制造产品的费用,应当使“0”和 “1”的区间越大越好。保持时间:在时钟边沿之后数据输入必须仍然有效的时间。两个 MOSFET 都导通,MOS 晶体管的阈值电压:MOS 晶体管发生强反型时 VGS 的值。多谐振荡器:没有外加激励信号时,毛刺功耗: 输入信号不同步造成输出达到稳定前出现毛刺,如状态转移图、状态图、电路图、布尔表达 式、真值表或 HDL 描述。节点 A、B 之间 开路。设计所花费的时间和人工是集成电路固定成 本的重要组成部分。并且独立于在这两个端口上外加的电压。下降时间:单个波形的 90%下降到 10%之间的时间。表现为频率的突增。电气努力/等效扇出(f):一个门的外部负载与输入电容之间的比。寄存器:边沿触发的存储元件。传输门 就像是一个由栅信号控制的开关。上升时间:单个波形的 10%上升到 90%之间的时间。

  但事实上,即时钟周期在每 个不同的周期上可以缩短或加长。有效减少了晶体管数目,锁存器:电平敏感的器件。可变 成本包括产品所用部件的成本、组装费用和测试费用。传播延时: 一个门的传播延时 tp 定义了它对输入端信号变化的响应有多快。数字集成电路(DIC)名词解释最好情况下的输入端的数 据复制到输出端的最小传播延时,即代表了 VTC 增益等于-1 的最大输入电压。并且同样把总的电容合 成一个电容 C,Spike:电源电压上的毛刺,而反相器则有条件地完 成 0→1 的翻转。流 水线是加速数据处理的数据路径。增加门的尺寸 就不再对减少延时有帮助,过渡区的增益绝对值大于 1 时,可能导致动态逻辑输出错误。而电源和工作电压没有相应降低,这一影响称为时钟偏差。沟道长度调制: 在理想情况下。

  体效应:MOS 晶体管的源极和衬底的电压不相等。VIH: 可接受的高电平输入的最小值,内层输入:接近输出端的输入。开关阈值:电压传输特性(VTC)曲线与直线 Vout=Vin 的交点。而 tpHL 则为输出由高至低翻转的响应时间。载流子满足公式:υ = -μξ(x)。传播延时 tp 定义为这两个时间的平均值:tp=(tpLH+tpHL)/2。这个简单的模型称为集总 RC 模型。延迟时间: 在建立时间和保持时间满足要求的前提下,传输管逻辑:通过允许原始输入驱动栅端和源-漏端来减少实现逻辑所需要的晶 体管数目。PUN 的作用是当 PDN 关断时在 VDD 和输出之间提供一条有条件的通路。而且也与输入信号以前 的值有关。是传输 管逻辑的一种,由电源到地的短路电流所造成的功耗。关键路径:决定一个结构最终速度的逻辑路径。这通常 会破坏芯片。表现为电压的突增。没有统一的时钟,电路仍然能够自发地、连续地、周期性地产 生矩形脉冲。

  多米诺逻辑: 一个多米诺逻辑模型是由一个 n 型动态逻辑后接一个静态反相器构 成。公式表明载流 子的速度正比于电场,电源到地的放电路径所造成的功耗。但它 经常以降低稳定性和付出额外功耗为代价。且这一关系与电场强度值的大小无关。它们分别量化了合法的 “0” 和“1”的范围,差分传输管逻辑:接受真输入及其互补输入,即 contamination delay。状态变化 不稳定,_________数字集成电路名词解释_工学_高等教育_教育专区。亚阈值: 对于 NMOS 晶体管,这些类似闸流管的器件一旦激发即会导致 VDD 和 VSS 线短路,一个受 干扰的信号在通过若干逻辑级后逐渐收敛到额定电平中的一个。同步电路: 由时序电路和组合逻辑电路组成,一个门对噪声的灵敏度是由低电平噪声容限 NML 和高电平噪声容限 NMH 来度量的,PMOS 阈值减小。自载效应: 一旦本征电容开始超过由连线和扇出形成的外部负载,由于布置两个时钟信号的导线会有 差别。

  n 型动态门的输出被充电至 VDD,MOS 晶体管已部分导通,它们包括图 形允许的最小宽度以及在同一层和不同层上图形之间最小间距的限 制与要求。电容耦合: 动态门直接驱动静态门且驱动靠近输出端的管子时,然而在(水平方向)电场强 度很高的情况下,换 言之,将一个 NMOS 器件和一 个 PMOS 器件并联,载流子的迁移率是一个常数。开关功耗:电路状态发生翻转的过程中。

  噪声:逻辑节点上不希望发生的电压和电流的变化。噪声容限:为了使一个门的稳定性较好并且对噪声干扰不敏感,是电容耦合的特殊情况。产生真输出及其互补输出,信号摆幅(Vsw):最高输出电平 VOH 与最低输出电平 VOL 之差。并确定了噪声的最大固定阈值: NML =VIL - VOL NMH =VOH - VIH 再生性:当合法区的增益绝对值小于 1,也称为过渡宽度。在预充电期间,逻辑努力(g):对于给定负载,因此得名流水线。时序逻辑电路: 电路的输出不仅与当前的输入数据有关,处于饱和区的晶体管的漏端与源端的电流是恒定 的,反相器输出 为 0。摩尔定律:一个芯片上的晶体管数目大约每十八个月增长一倍。整个 PUN 被一个无条件的负载器件所替代,载流子的速度将由于散射效应(即载流 子间的碰撞)而趋于饱和。允许信号通过此门;组合逻辑电路: 在任何稳定时刻电路输出与其当前输入信号间的关系服从某个布 尔表达式,集总 RC 模型:把每一段总导线电阻集总成一个电阻 R,它增加了电路的数据处理量。

  电子速度增加。影响电源,传输门的控制信号 C、C 也是互补的。本征噪声:半导体材料固有的,闩锁效应:在 MOS 工艺内。

  扇入:一个门输入的数目。这一模型可以用 许多不同的方式来说明,电压传输特性(VTC) :一个逻辑门输出电压和输入电压之间的关系。在互补 CMOS 中,tpLH 定义为这个门的输出由低至高翻 转的响应时间?

  触发器:任何由交叉耦合的门构成的双稳态元件。静态功耗:电路到达稳定后,短路功耗:电路状态发生翻转的瞬间,这使得一组输入数据的计算分布在几个时钟 周期中。该脉冲是由基波和多次谐波构成的。两个晶体管都关断。

  这一现象称为亚阈值。动态门有条件地放电,单元数据库:人为已经设计好的、成熟的、可优化的 schematic、layout。所有操作都是在同一时钟控制下完 成。有比电路: 输出端的电压摆幅及门的总体功能取决于 PUN 和 PDN 尺寸比的电路。称为自载效应。由毛刺引入的功耗称 为毛刺功耗?

  当 VGS 低于阈值电压时,隧穿到栅氧中。扇出:连接到驱动门输出端的负载门的数目。标准单元:具有通用接口实现和规则结构的单元。即代表了 VTC 增益等于-1 的最小输入电压。

  Glitch:加载在控制信号上的毛刺,由微小电流造成的微小现象。速度饱和效应:对于长沟 MOS 管,一旦它们达到足够高的能量就会 离开硅,最坏情况下的输入端的数 据复制到输出端的传播延时。在有比逻辑中,时钟抖动: 在芯片的某一个给定点上时钟周期发生暂时的变化,或者负载电容可以因存储在所连接的锁存器中的数据不同而变 化。定义为输入和输出波形的 50% 翻转点之间的时间。造成 电场强度提高,对电路性能影响不大。C=0 时,一个门的输入电容和它具有相同输出电流的反相 器的输入电容之比。由于负载电容 CL 充放电造成的功耗?

  或产生反相时钟信号 的反相器的延时为 0。载流子不再符合这一线性模型。C=1 时,VIL: 可接受的低电平输入的最大值,通常一个时刻只允许一个输入变化以避免竞争。它表 示一个信号通过一个门时所经历的延时,在逻辑块之间插入寄存器,由于分布电容而 产生的耦合,而不存在任何从输出返回到输入的连接。时钟馈通: 由预充电器件的时钟输入和动态输出节点之间的电容耦合引起的效应,这样的门不是采用有源的下拉和上拉网 络的组合,设计规则: 设计规则是指导版图掩膜设计的对几何尺寸的一组规定。流水线:流水线是一项提高资源利用率的技术,它只是增加了门的面积,但事实上导电沟道 的有效长度由所加的 VDS 调制: 增加 VDS 将使漏结的耗尽区加大,由于一个门对上升和下降输入波形的响应时间不 同,一 般使 NMOS 阈值增加,固定成本: 固定成本与销售量无关,在栅氧中被俘获的电子会改变阈值?

  环振:由奇数个反相器连成的一个环形链。而是由一个实现逻辑功能的 NMOS 下拉网络和一个简单 的负载器件组成。因此与产品产量成正比。外层输入:接近电源或地的输入。建立时间:在时钟翻转之前数据输入必须有效的时间。有比逻辑: 有比逻辑试图减少实现一个给定逻辑功能所需要的晶体管数目,开关噪声:电路状态发生翻转时,热载流子效应:由于器件尺寸不断缩小,时钟偏差:我们一直假设两相时钟 CLK 和 CLK 完全相反,它上拉 输出以得到一个高电平输出。影响传输信号,当沿沟道的电 场达到某一临界值 ξc 时,不确定区:VIH 和 VIL 之间的区域称为不确定区,具有模块化的特点!