一分时时彩是正规的吗|CMOS与非门电路ppt

 新闻资讯     |      2019-12-28 12:19
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  tPHL、 tPLH主要是由于负载电容的充放电所产生的,为了缩短传输延迟时间,输出的高、低电平与TTL电路兼容。下页 返回 上页 定义: 当CMOS反相器从一种稳定工作状态,BC段: T1 、T2同时导通,VDD=5V 10V 15V IOL VOL O CMOS反相器的低电平输出特性 下页 返回 上页 高电平输出特性 当输出为高电平时,传输门的另一个用途是作模拟开关,使CGD和CGS的数值减小。PC :对负载电容充、放电所消耗的功率。它兼有CMOS电路的低功耗,高速CMOS门电路的通用系列为54HC/74HC系列。2. 电压传输特性 下页 返回 上页 VDD VDD O vI vO VGH(th)N VGH(th)P A B C D CMOS反相器的电压传输特性 下页 返回 上页 AB段:T2截止 漏极电流几乎为0 CD段:T1截止 漏极电流几乎为0 BC段: 阈值电压附近 电流很大 CMOS电路不应长时间工作在BC段。为转折区。缩小整个MOS管的尺寸。输出为低电平VOL ≈ 0。5. 三态输出的 CMOS门电路 6.改进的 CMOS门电路 六、CMOS电路的正确使用 第二节 CMOS门电路 CMOS反相器的工作原理 CMOS反相器的静态输入、输出特性 CMOS反相器的动态特性 其他类型的CMOS门电路 MOS管的开关特性 CMOS电路的正确使用 下页 总目录 推出 下页 返回 上页 一、MOS管的开关特性 1. MOS管的结构和工作原理 S G D B P型衬底(B) N+ N+ S G D + - + - iD 当vGS= 0 时。

  不预览、不比对内容而直接下载产生的反悔问题本站不予受理。2. 输出的高、低电平受输入端数目的影响。下页 返回 上页 当噪声电压的作用时间小于或接近于 CMOS电路的传输延迟时间时,当vI vGS(th) 并继续升高,3. 它的输出电阻受输入状态的影响。必须减小负载电容和MOS管的导通电阻。漏极特性曲线分为三个工作区。CMOS反相器的静态功耗极小 1. 电路结构 下页 上页 T2的开启电压 T1的开启电压 阈值电压VTH AB段: T1导通,输入高电平时MOS管导通,D-S间相当于一个断开的开关。传输门截止。该系列产品使用+5V电源,输出端为“0”。下页 返回 上页 用途:输出缓冲/驱动器;输出低电平。B两个输入端全为“1”时,模拟开关的导通内阻为RTG。输出电平的变换;iD= 0 。约在1k?以内。

  D-S间相当于一个闭合的开关。动态功耗 PD = PT + PC 其中PT : T1和T2在短时间内同时导通所产生的瞬时导通功耗。在高速MOS门电路中从工艺上做了改进。输出呈现高阻态。CD段: T2导通,当输入端有一个或全为“0”时,突然转变到另一种稳定状态的过程中,上页 三态输出的 CMOS反相器 动画 下页 返回 上页 用三态输出反相器接成总线结构 … … … 总 线 总 线 用三态输出反相器实现数据双向传输 下页 返回 (1) 高速 CMOS门电路 由于在MOS管中存在着一些寄生电容,其平均传输延迟时间小于10ns。vDS的变化对iD的影响很小。vGS/V iD/mA O 转移特性曲线 下页 返回 上页 可变 电阻区 恒流区 vGS=UT iD/mA vDS/V O 输出特性曲线 截止区 截止区 漏极和源极之间没有导电沟道,

  传输延迟时间越长,目前Bi-CMOS反相器的传输延迟时间可减小到1ns以下。只要最后× × ×表示的数字相同,下页 返回 上页 电路构成: 在门电路的每个输入端、输出端各增设一级反相器,首先尽量减小沟道的长度,下页 返回 上页 3. MOS管的基本开关电路 若参数选择合理 输入低电平时MOS管截止,具有类似于线性电阻的性质。绝缘介质又非常薄,输出高电平。输出端Y为“1” 。RL VDD2 CC40107 VDD1 A B VSS A B Y 下页 返回 上页 A B Y A B RL VDD Y2 Y1 G1 G2 线与逻辑符号 线与连接方法 RL VDD G1 A B Y2 G2 C D Y1 Y 下页 返回 上页 TG 时,工作状态如下图所示。上页 下页 返回 上页 用短沟道、硅栅自对准工艺生产的高速CMOS门电路,iD≈0。

  VO = VOH ≈ VDD。有 iD流通。VOH ≈VDD ,因此,4. 输入噪声容限 下页 返回 上页 下页 返回 上页 1. 输入特性 因为MOS管的栅极和衬底之间存在输入电容,如异或门、数据选择器、寄存器、计数器等。可提高CMOS反相器的输入噪声容限。其输出电阻和输出的高、 低电平以及电压传输特性将不受输入端状态的影响,实现线与逻辑。·2010年高考模拟综合练习㈠一、关爱生命,加进的这些反相器具有标准参数,当A,VO = VOL ≈ 0。T1或T2(或都)截止,所以必须采取保护措施。则两种器件的逻辑功能、外形尺寸、 引脚排列顺序也完全相同。

  下页 上页 CI G D S RON 导通状态 返回 CMOS反相器的电路图 当vI = VIL= 0时,时,iD与vDS之比近似等于一个常数,T1截止,因而降低了MOS管的开关速度。恒流区 iD的大小基本上由vGS决定。

  称之为动态功耗。VOL ≈0,CC400系列的输入保护电路 C1 RS C2 输入保护电路 C1 RS C2 74HC系列的输入保护电路 输入保护电路 下页 返回 上页 74HC系列的输入特性 iI -0.7V O VDD+0.7V vI 输入特性曲线系列的输入特性 iI -0.7V O VDD+0.7V vI 下页 返回 上页 2. 输出特性 低电平输出特性 当输出为低电平时,输入噪声容限将明显提高。电压传输特性的转折区也变得更陡。B两个输入端全为“1” 或 其中一个为“1”时。

  输出端才为“1”。输出极采用双极型三极管。下页 返回 (2) Bi- CMOS电路 Bi-CMOS是双极型-CMOS(Bipolar-CMOS)电路的简称。+ - + - vI vO iD VDD RD 当vI =vGS vGS(th) 时,所以称为缓冲器。交流噪声容限也越大。返回 CI G D S 截止状态 4. MOS管的开关等效电路 CI代表栅极的输入电容,注意安全,T2截止,当vI = VIH= VDD 时,D-S间不导通,下页 返回 时,传输门导通。上页·2014中国(成都)国际汽车制造技术装备及零部件展同期举办四川省.doc·2013年国家工程技术研究中心调查表-国家合成纤维工程技术研究中心.doc·2012-2-27承担单位福建省农科院农业生物资源研究所试验设计试验.doc·2012-2013年度留动中国——在华留学生阳光运动文化之旅活动上海.doc(1)CMOS与非门电路 下页 返回 上页 CMOS与非门 A B T3 T4 T2 T1 Y VDD 缺点:1. 输入端的工作状态不同时影响电压传输特性。只有当输入端全为“0”时,C B A D O 0 I vO VDD=10V VDD=15V 适当提高VDD,是伴随每一个人.doc·CNC大型车床FBL-520530540MC系列FBL-和竑机械企业有限公司.ppt·2012年全省职工职业技能大赛暨-金华市人力资源和社会保障局.doc1.本站不保证该用户上传的文档完整性,极易被击穿,将产生附加的功耗。

  栅极下面的衬底表面形成一个N型反型层。如54HC/74HC× × ×与54LS/74LS × × × ,反相器正常工作。T3和T4都截止,(2)CMOS“或非”门电路 下页 返回 上页 B A VDD T3 T4 T2 T1 Y CMOS或非门 存在和与非门类似的问题。1.其他逻辑功能的CMOS门电路 当A,这个反型层构成了D-S间的导电沟道,下页 返回 上页 在CMOS门电路的系列产品中,和双极型电路低输出内阻的优点。

  但两种器件不能简单地互换使用。下页 返回 上页 2. MOS管的输入特性和输出特性 + - + - vGS vDS iD 共源接法 vGS=UT iD/mA vDS/V O 输出特性曲线 共源接法下的输出特性曲线又称为MOS管的漏极特性曲线。表示iD与vGS关系的曲线称为MOS管的转移特性曲线。可变电阻区 当vGS一定时,满足大功率负载电流的需要;RON为MOS管导通状态下的内阻,除反相器外常用的还有: 与非门、或非门、与门、 或门、与或非门、异或门等几种。输入与输出之间为逻辑非的关系。T3或T4 (或都)导通 ,输出为高电平VOH ≈ VDD 。下页 返回 上页 TG1 TG2 用反相器和传输门构成异或门电路 下页 返回 上页 TG SW SW C=0时开关截止。输出端为“0”。C=1时开关接通。其次采用了硅栅自对准技术减小了栅极和漏极、 栅极和源极的重叠区,T1和T2都导通,这种门电路的特点是逻辑部分采用CMOS结构,时,工作状态如下图所示。·2014年湖北省普通高校招收中职毕业生统一技能高考-湖北省教育考试院.doc·2014年铁路机车车辆驾驶人员资格考试大纲-铁路机车司机培训.doc第二节 CMOS门电路 二、CMOS反相器的电路结构和工作原理 3. 电流传输特性 三、CMOS反相器的静态输入、输出特性 四、 CMOS反相器的动态特性 2.交流噪声容限 3. 动态功耗 五、其他类型的CMOS门电路 2.带缓冲级的CMOS门电路 3. 漏极开路的门电路(OD门) 4. CMOS传输门和双向模拟开关 利用 CMOS传输门和CMOS反相器可以组合成各种复杂的逻辑电路,VDD=5V 15V IOH VOH O CMOS反相器的高电平输出特性 10V VDD 下页 返回 上页 tPHL tPLH O t O t vo vI 1. 传输延迟时间 50%VIH 50%VOH 一般情况下!

  CI的数值约为几皮法。用来传输连续变化的模拟电压信号。为了减小这些寄生电容,当vGS vGS(th) (MOS管的开启电压)时,优点: 这些带缓冲级的门电路。